Hola.
Cuando toque el tema de analisis en continua (punto de trabajo y rectas de carga), el transistor BJT tenia su equivalente en saturacion y corte, que es circuito cerrado y abierto.
Pero en el analisis de AC (alterna), no tengo idea cual es su equivalentes en saturacion o corte (claro no es practico pero alguna idea), o tengo que utilizar las ecuaciones de Ebers-Moll
Gracias.
En alterna se hace un análisis en pequeña señal, que consiste en utilizar un modelo lineal (un cuadripolo con fuentes dependientes) que lo aproxima en el punto de trabajo. Obviamente, esto vale mientras el transistor durante su excursión no pase ni por corte ni saturación. Es lo que usás en todo análisis lineal.
Cuando el transistor pasa por corte y saturación ya no hay linealidad, directamente se lo aproxima por un circuito abierto o cerrado agregando la caída Vsat y una resistencia si es necesario. Ya que para lo que se acostumbra analizar (distorsiones, formas de onda en conmutación, disipación...) un modelo como el de Ebers-Moll no ayuda.
Gracias por tu respuesta. Pero como calculas el Vsat o la resistencia que dices, en modelo pequeña señal alterna, ya que en corte, si se aproxima adecuadamente el circuito a abierto, pero en saturacion ponerle un corto no combiene ya que se trabaja a < 10 mV, por eso como lo calculas...
Es que salvo que se trate de un anáisis teórico particular, el valor que utilizás es el que te provee la hoja de datos del transistor.Iniciado por Melius
Son parámetro con mucha dispersión, a modo de ejemplo, compará la tensión Vce(sat) típica de un transistor de conmutación como el BUT11A
But11_typ.jpg
con los valores máximos que figuran en la misma hoja de datos.
But11_max.jpg
Nuevamente gracias por tu respuesta... aver si le entro
¿entonces si estoy en zonas de corte o saturacion en pequeña señal para analisis teorico, debo utilizar las hojas de datos del transistor BJT...?, es que el ejercicio es de un examen teorico pasado ...
Este es el ejercicio, claro te da las impedancias de entrada pero no sabes si estan en corte y saturacion (o sino resolverias como si estuvieran activos), asi que volvi a calcular el punto Q, y me topo con que el transistor 2 (derecha) esta en saturacion, y ahy esta el problema ... aver si me sigues...
IMG_0001.jpg
El transistor 1 (izquierda) esta es la region activa y el transistor 2 (derecha) esta en region saturacion, aca mi resolucion utilizando el modelo en pequeña señal emisor comun simplificado(le hice corto para el de saturacion; y lo deje con la impedancia de entrada,supongo que no le interesa si esta en saturacion o activa, como se dedujo de la curva exponencial; lo veo como la resistencia dinamica del diodo algo asi...), las impedancias de entrada que dan se aproximan a las que calcule asi que no hay problemas con eso.
IMG.jpg
y asi la ganancia de voltaje me sale con un error relativo de 3.3% comparando con la del simulador (¿resuelto por suerte?)
La duda seria saber donde colocar la impedancia de entrada, por que la cofiguracion que utilize es emisor comun , y si utilizaba otras configuracion, veo que me salen Vo=0 (resistencia 6 es la resistencia de carga), y la relacion entre esas configuraciones es por reflexion de impedancias, y eso tambien utiliza la relacion ic=B*ib; deduzco que especificamene se debe elegir solo una union para colocar la impedancia de entrada.
O es que este ejercicio no tiene sentido
Última edición por Melius; 03/06/2012 a las 09:41
Bueno... en ese ejercicio no.
En un ejercicio ya te proporcionan todos los datos. Salvo que... el ejercicio consista en buscar en la hoja de datos
Con ese enunciado y esos datos, el ejercicio es para resolverlo en zona lineal, pero con esas polarizaciones es cierto lo que decís: El segundo transistor está saturado.Este es el ejercicio, claro te da las impedancias de entrada pero no sabes si estan en corte y saturacion (o sino resolverias como si estuvieran activos), asi que volvi a calcular el punto Q, y me topo con que el transistor 2 (derecha) esta en saturacion, y ahy esta el problema ... aver si me sigues...
Casualidad, porque cuando entrás en zona de saturación la ganancia dinamica cae a lo bestia (la efectiva termina siendo mucho menor de 120)y asi la ganancia de voltaje me sale con un error relativo de 3.3% comparando con la del simulador (¿resuelto por suerte?)
Es un ejercicio extraño, donde parece haberse deslizado un error en la conexión de R10.La duda seria saber donde colocar la impedancia de entrada, por que la cofiguracion que utilize es emisor comun , y si utilizaba otras configuracion, veo que me salen Vo=0 (resistencia 6 es la resistencia de carga), y la relacion entre esas configuraciones es por reflexion de impedancias, y eso tambien utiliza la relacion ic=B*ib; deduzco que especificamene se debe elegir solo una union para colocar la impedancia de entrada.
O es que este ejercicio no tiene sentido
Si a R10 la conectamos entre baseQ2 y masa, eso pasa a ser un amplificador cascodo y todos los cálculos tendrán sentido.
De otra forma, al estar Q2 saturado, la Av,Ai,Ap teóricas resultan 0.
Si tienes razon esta medio extraño (seguro era para resolverlo como suponen transistores activos a modo de ejercicio), normalmente pareciera de que las ganancias serian cero, pero de un otro forma el circuito se las arregla para sacar Av=-1.588 (y lo que calcule Av=-1.536). Gracias por tus respuetas, aclare algunas dudas.
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